"VTFET": Τσίπ νέας αρχιτεκτονικής μειώνει την κατανάλωση ενέργειας κατά 85%

Η ΙΒΜ και η Samsung ανακοίνωσαν οτι ανέπτυξαν μια νέα αρχιτεκτονική που ονομάστηκε VTFET (vertical field effect transistors), μιας νέας μεθόδου κατασκευής επεξεργαστών, που θα μειώνουν την κατανάλωση ενέργειας των συστημάτων ή συσκευών που θα τοποθετούνται κατά 85%. Στην αρχιτεκτονική των επεξεργαστών είτε πρόκειται για CPU είτε SoC τα τρανζίστορ είναι τοποθετημένα οριζοντίως στην επιφάνεια του πυριτίου με το ηλεκτρικό ρεύμα να «ρέει» από πλευρά-σε-πλευρά. Η μέθοδος αυτή τοποθετεί τα τρανζίστορ σε κάθετη διάταξη με το ηλεκτρικό ρεύμα να κινείται κατακόρυφα. Ο σχεδιασμός αυτός έχει ως αποτέλεσμα την παραγωγή ρεύματος μεγαλύτερης έντασης κάτι που συνεπάγεται μικρότερες ενεργειακές απώλειες.

Οι εφαρμογές των νέων τσιπ VTFET είναι πολλές και ξεκινούν από την μεγάλη αυτονομία σε ηλεκτρονικές συσκευές ως και δραστηριότητες που απαιτούν τεράστιες ποσότητες ενέργειας όπως η «εξόρυξη» κρυπτονομισμάτων γεγονός που εκτός των άλλων έχει και ευεργετικές συνέπειες στο περιβάλλον.

ΑΜΠΕ