Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module υπερδιπλασιάζει τις επιδόσεις των DDR4. Για την κατασκευή της μνήμης 512GB DDR5 χρειάστηκε να “πακετάρει” 32 chips 16GB που το καθένα περιλαμβάνει με τη σειρά του 8 στρώσεις 16Gb DRAM. Η ανάπτυξη κατέστη εφικτή αφού αντικατέστησε το πυρίτιο με άφνιο στα ηλεκτρόδια, πετυχαίνοντας υψηλότερη πυκνότητα με ταυτόχρονη μείωση των διαρροών φορτίου. Σύμφωνα με τη Samsung, η συγκεκριμένη αρχιτεκτονική πέραν της υψηλότερης απόδοσης, μειώνει και την ενεργειακή κατανάλωση κατά 13%.
Η Intel αναφέρει ότι η νέα μνήμη θα είναι συμβατή με τους επόμενης γενιάς επεξεργαστές της, Xeon Scalable, που θα χρησιμοποιούν 8κάναλο DDR5 memory controller για μνήμη RAM πολλών terabyte και θα προσφέρουν ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων έως και 460GB/s. Αναμένεται και η έλευση της αρχιτεκτονικής Zen 4 από την AMD μέσα στο 2022, η οποία επίσης θα υποστηρίζει μνήμες DDR5.
Η Intel αναφέρει ότι η νέα μνήμη θα είναι συμβατή με τους επόμενης γενιάς επεξεργαστές της, Xeon Scalable, που θα χρησιμοποιούν 8κάναλο DDR5 memory controller για μνήμη RAM πολλών terabyte και θα προσφέρουν ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων έως και 460GB/s. Αναμένεται και η έλευση της αρχιτεκτονικής Zen 4 από την AMD μέσα στο 2022, η οποία επίσης θα υποστηρίζει μνήμες DDR5.
No comments :
Post a Comment